演讲嘉宾：中国科学院微电子研究所研究员博士生导师 王颀

演讲主题：三维NAND闪存数据保持特性及优化算法研究

内容介绍： 随着三维NAND闪存的存储密度不断提高，叠层层数不断增加，层间间距不断减小，以电荷纵向泄漏(Vertical Leakage)和横向扩散(Lateral Spreading)为代表的一系列漏电机制导致器件单元数据保持(Data Retention)特性持续退化。为了减小数据保持特性退化对三维NAND闪存存储系统(比如SSD或UFS)性能及数据可靠性的影响，我们分别采用一系列优化算法，有效提升三维NAND闪存存储系统在高度损耗及长期保持等极端条件下的读写性能及纠错能力，达成三维NAND闪存存储系统使用寿命与EOL性能之间有效平衡。

嘉宾介绍：中国科学院“人才引进计划”入选者，主要研究领域为3D NAND闪存电路和系统设计, NAND闪存可靠性算法研究, SSD控制器设计, 差错控制编码研究等。2015年加入中国科学院微电子研究所，并"双跨"到长江存储(原武汉新芯)，从事了我国几代3D NAND闪存的自主研发工作, 并作为部门负责人主导了我国首款32层3D NAND闪存产品芯片的电路设计工作，共计发表国内外期刊及会议论文20余篇(其中SCI论文10余篇)，申请国内外专利30余项。